金融界2024年12月25日音讯，国家知识产权局信息数据显现，天津国昂玖昀数字科技有限公司请求一项名为“一种具有光调制负微分电阻现象光电探测器的制备办法”的专利，公开号CN 119170711 A，请求日期为2024年9月。

  专利摘要显现，本创造公开了一种具有光调制负微分电阻现象光电探测器的制备办法，办法有以下过程：将机械剥离的MoS2，h‑BN和WS2经过干搬运法制备MoS2/h‑BN/WS2异质结，搬运上金电极后制备成nBn型单极势垒光电探测器。其特征是，该创造的特点是MoS2/h‑BN/WS2光电探测器在激光照射下具有负微分电阻现象，这是因为光激起电子产生的量子隧穿效应导致的。研讨之后发现跟着光功率的改动负微分电阻现象产生规律性改变，且该器材具有4.7的峰谷电流比值和25.2mA/cm2的峰值电流密度。将电路连上电感后，使用负微分电阻现象使用于高频振动器，在负微分电阻区域完成了安稳的正弦波振动。使用光作为负微分电阻现象的操控端，为需求光调制负微分电阻现象的各种电路使用供给了科学根底。

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